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“汉芯”之鉴:硬科技投资如何避开学术骗局

时间:2025/10/24 16:26:27

从砂纸打磨芯片到虚构科学创新,硬科技领域的造假戏码不断重演,投资者如何识别 “突破物理学极限”的谎言?

2003年,上海交大陈进借助砂纸打磨摩托罗拉芯片标志的“汉芯一号”,骗走11亿元科研经费,导致中国芯片发展停滞十余年。2025年,类似场景正以另一种形式重演——一项宣称“直接用微波作泵浦”实现常温半导体脉泽的技术,自称打破了“常温下无法直接用微波做泵浦”的物理学固有认知,融资超两千万元

硬科技投资热潮中,辨别真正创新与精心包装的学术骗局已成为投资者必备技能。从汉芯到常温半导体脉泽技术,造假者利用相同漏洞:高深专业术语包装、利用国内外信息差、权威专家站台、以及媒体夸大宣传。

01 汉芯事件——科技骗局的经典模板

2003年2月26日,上海锦江小礼堂的一场发布会引发全国关注。上海交大微电子学院院长陈进隆重推出“汉芯一号”,宣称这款芯片采用0.18微米工艺,集成了250万个器件,每秒运算能力高达2亿次。

鉴定专家组由知名院士组成,一致认定“汉芯一号”为国内首创,达到国际先进水平。陈进一夜之间成为民族英雄,长江学者及多个重要荣誉接踵而至。

然而,2006年1月,清华大学BBS上一封《汉芯黑幕》的帖子揭开了真相。陈进在美国的弟弟购买摩托罗拉dsp56800芯片,雇佣民工用砂纸打磨掉原标识,然后印上“汉芯”标志。

所谓的“创新”完全是窃取而来

02 常温半导体脉泽技术——真的是“突破性创新”

在“汉芯”事件近二十年后,类似剧情再次上演。某公司宣称实现了“全球首个常温量子传感工程化应用”,推出所谓的“量子芯”传感器。

在一篇名为《XX造量子芯,无源无线!全球首例常温量子传感工程化应用新突破》新闻稿件中,表示“在技术细节上,这颗量子芯芯片基于常温脉泽量子通感一体化技术。”但是,通过分析该技术的核心专利《常温半导体脉泽及其应用》(专利号:ZL201910604297.5)可知,其宣称具有颠覆性的常温半导体脉泽“量子芯”,在专利中实际被表述为“含异质结的晶体管”,具体类型包括异质结双极型晶体管(HBT)、金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)或高电子迁移率晶体管(HEMT)。这些均属现代半导体行业中已广泛应用的经典器件,其物理原理与手机、电脑芯片所采用的并无根本区别。将常规半导体元件包装为“量子芯”,与“汉芯”事件中打磨芯片冒充自研的做法高度相似。

不仅如此,细究之下,其原理仍存有诸多疑点:

第一,微波频率与半导体激发所需的能量存在数量级差异

常见半导体的禁带宽度通常都在1eV以上,对应所需的激励源频率不低于2.4×(10的14次方)Hz((处于光频段)。而微波频段的频率范围处于300GHz以下,即微波频率不高于3×(10的11次方)Hz。

最大微波频率与所需最低泵浦频率相比,整整低了三个数量级。如果使用1GHz以下的微波,与所需最低泵浦频率相比,更是低了五个数量级。

这一差距意味着:微波光子能量根本不足以使半导体价带电子跨越禁带跃迁到导带。用通俗的比喻来说,这就像试图用轻声耳语震碎钢化玻璃——能量的差距决定了效果的不可能。

因此,宣称用微波实现半导体粒子数反转,直接违背了物理学基本定律

第二,半导体材料中的极化激元频率也与微波频段严重不匹配

常见半导体材料中的极化激元频率通常在10meV以上,对应的极化激元频率不低于2.4×(10的12次方)Hz,通常处于THz频段。

相比之下,如果使用1GHz的微波,两者频率相差三个数量级。这种根本性的频率不匹配使得微波无法有效耦合到半导体材料的极化激元模式中。

从量子力学角度,这意味着微波光子与半导体材料晶格振动之间的能量交换效率极低,无法实现技术宣称的“高效能量转换”。

这一理论困境再次指向同一个结论:半导体材料中的极化激元频率如果处于微波频段,同样违背物理学基本定律

03 硬科技造假的共同特征

分析“汉芯”与“常温半导体脉泽”事件,可见其宣传手法存在多处相似性。

其一,夸大技术突破。前者宣称“国际先进”,后者自诩“颠覆物理认知”,均利用专业壁垒阻碍外界验证。

其二,倚重权威背书。“汉芯”借院士专家组站台,后者声称获某中心“严格尽调”。以权威为骗局增信。

其三,编织完美技术故事。 “汉芯”有留学回国人才带领团队攻坚克难的故事;常温半导体脉泽技术则有师从名门、八年磨一剑的励志故事。

其四,回避同行评议。“汉芯”未能量产,后者也仅称“多场景数据稳定”,却无公开发表的同行评审论文支撑。

这些骗局均利用社会对硬科技突破的迫切心态,在“卡脖子”领域迎合期待,使人们易被超越常规的“创新”叙事所蒙蔽。

04 硬科技投资的防骗策略

面对日益精细化的技术骗局,投资者需构建系统化的评估体系以辨识真伪。

首先,追溯技术发展路径。真正的创新通常具备可查证的演进轨迹,投资者应要求团队提供从基础研究到应用落地的完整证据链。

其次,推动第三方可重复验证。硬科技突破必须能在受控条件下由独立机构复现核心指标,而非仅依赖单方演示数据。

最后,理性看待权威背书与宣传。投资者应聚焦技术内在逻辑与实验证据,警惕“填补空白”等过度叙事,并积极咨询一线科研人员以了解领域实况。

随着国产芯片自主创新技术的出现,中国硬科技正逐步走出“汉芯”阴影。投资硬科技需要的不只是资金,更是辨别真伪的智慧与坚守规律的勇气。

来源:https://www.yidianzixun.com/article/13x5Z6wL

 来源:网络
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